#1 |
数量:538518 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:14397 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:6400 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
Marking Content 19/Nov/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 54 mOhm @ 5A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 7.3nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 500pF @ 10V |
功率 - 最大 | 700mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-WDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | 6-MicroFET (2x2) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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